Delist.ru

Динамика дислокаций в щелочно-галоидных кристаллах при наложении ультразвука (15.08.2007)

Автор: Дегтярев Вячеслав Тихонович

248600, г. Калуга, ул. Баженова, 2

Отпечатано в Редакционно-издательском отделе

КФ МГТУ им. Н.Э. Баумана

248600, г. Калуга, ул. Баженова, 2, тел. 57-31-87

Рис. 4. Последовательные конфигурации дислокационного сегмента, полученные в соответствии со вторым алгоритмом

Рис. 1. Схематическое изображение рассматриваемой модели

Рис.12. Изменение плотности дислокаций после обработки ультразвуком

Рис. 9. Возможные соотношения напряжения, действующего в плоскости источника, и расстояния между закрепляющими дислокациями в зависимости от времени

Рис. 8. Схема изменения эффективной длины источника за счет колебания лесных дислокаций в противофазе:

а – длина источника уменьшается;

б – длина источника увеличивается

Рис. 17. Отношение изменения напряжения, необходимого для преодоления модельной площадки к напряжению преодоления модельной площадки, для разных соотношений положительных и отрицательных дислокаций (1 – отношение 50:50; 2 – 40:60; 3 – 20:80)

Рис. 5. Изменение структуры динамического диполя в зависимости от амплитуды для диполей, имеющих различное плечо h=20, 30, 40, 50 мкм

Рис. 10. Начальное расположение дислокаций на модельной площадке

Рис. 11. Распределение дислокаций на модельной площадке, полученное в результате действия ультразвука ((0 = 1,5 МПа; f = 100 кГц;

t = 100Т)

0,8 МПа (частота ультразвука 60 кГц)

, когда в плоскости источника действует знакопеременная составляющая

Рис.14. Последовательные положения скользящей дислокации, двигающейся через колеблющийся дислокационный лес. Стрелками обозначены траектории колеблющихся дислокаций леса.

А = 0,15 ?

Рис. 16. Зависимость напряжения, необходимого для преодоления площадки от корня плотности дислокаций

Рис. 15. График зависимости критического напряжения от амплитуды ультразвука

загрузка...